Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DTC114EET1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
DTC114EET1G 24 Заказ радиодеталей

Технические характеристики DTC114EET1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-75, SOT-416
Корпус SC-75
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.