Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DTA114ES

Версия для печати Транзистор биполярный цифровой

Технические характеристики DTA114ES

Параметр
Значение
Корпус SPT
Корпус (размер) SC-72-3, SPT
Тип монтажа Выводной
Power - Max 300mW
Frequency - Transition 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTA114ES
Универсальные биполярные PNP транзисторы

Pnp Resistor-equipped Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdta114es.pdf
73.69Kb
8стр.