Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DDTC125TE-7

Версия для печати

Технические характеристики DDTC125TE-7

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 200K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50µA, 500µA
Frequency - Transition 250MHz
Power - Max 150mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-523
Корпус SOT-523
Product Change Notification Encapsulate Change 09/July/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
DDTC125TE
Биполярные транзисторы

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Также в этом файле: DDTC125TE-7

Производитель:
Diodes Incorporated
//www.diodes.com

ddtc125te.pdf
72.33Kb
3стр.