Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BCR133E6327

Версия для печати

Технические характеристики BCR133E6327

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition 130MHz
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус PG-SOT23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
CH23-1220 1078 15.48 руб.