Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI3437DV-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI3437DV-T1-GE3 (VISHAY) 1 67.31 руб. 

Описание SI3437DV-T1-GE3

MOSFET P-CH D-S 150V 6-TSOP

Технические характеристики SI3437DV-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 50V
Power - Max 3.2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус 6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.