Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI1305DL-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI1305DL-T1-E3 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SI1305DL-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 860mA
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Power - Max 290mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.