RD16HHF1

Описание RD16HHF1

Транзисторы RD16HHF1 типа MOS FET специальнопредназначены для использования в HF РФ усилителях мощности.
Для выходного каскада усилителей высокой мощности вКВ диапазоне мобильных радиостанций.Кремниевые RD16HHF1 MOSFET ВЧ транзисторы применяются как разно частотные и высокочастотные усилители мощности в мобильных устройствах, например телефонах.Силовые транзисторы выполнены по Trench-технологии 0,35 мкм и предназначены для управления электродвигателями различных грузоподъёмных средств и автономных электрических погрузчиков. Транзисторы имеют малое сопротивление в открытом состоянии, малые потери, защищены от перегрева, не требуют снабберных цепей и отличаются высокой надёжностью и производительностью.
RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V, Silicon
Материал изготовления Кремний (Si)
Выходная мощность >16W
Коэффициент усиления >16dB
Напряжение питания 12.5V
Частота 30MHz