Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MGSF1N03LT1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
MGSF1N03LT1G 8 Заказ радиодеталей

Технические характеристики MGSF1N03LT1G

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 140pF @ 5V
Power - Max 420mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.