IRLML2803TRPBF

Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем, Pb-free.

Наименование	Кол-во	Цена
IRLML2803TRPBF	19502	19.01 руб.

Технические характеристики IRLML2803TRPBF

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 910mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	85pF @ 25V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
BLM21PG221SN1D (MURATA)	8080	2.40 руб.
IRLML6401	50400	4.63 руб.
MMBT5401LT1G (ON SEMICONDUCTOR)	4	3.95 руб.