Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR9210

Версия для печати Hexfet® power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9210 40 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRFR9210

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 170pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9310PBF 24 Заказ радиодеталей
IRFR9210
Дискретные сигналы

200V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Также в этом файле: IRFR9210TR, IRFR9210TRL, IRFR9210TRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr9210[1].pdf
172.3Kb
6стр.