Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR13N20D

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 200V, 13A, 110W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR13N20D (INTERNATIONAL RECTIFIER) 400 85.68 руб. 

Технические характеристики IRFR13N20D

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 13A
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
SFH6156-2T (VISHAY) 331 36.00 руб. 
TOP227YN (POWER INTEGRATI) 1 732.10 руб. 
IRFR13N20D
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.235ohm, Id=13A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr13n20d.pdf
184.41Kb
10стр.