Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP4668PbF

Версия для печати 200v single n-channel hexfet power mosfet in a to-247ac

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP4668PBF (INFINEON) 600 331.83 руб. 

Технические характеристики IRFP4668PbF

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 81A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 130A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 241nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 10720pF @ 50V
Power - Max 520W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
L7812ABV 32 Заказ радиодеталей
LM224D (FULIHAO TECH) 416 15.35 руб. 
SR160 7600 2.78 руб. 
TL084CD (ST MICROELECTRONICS) 800 55.08 руб. 
IRFP4668PbF
MOSFET

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4668PbF.pdf
287.4 Кб