Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP4368PBF

Версия для печати N-Ch 75V 350A 520W 0,0018R

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP4368PBF (INFINEON) 656 367.86 руб. 

Технические характеристики IRFP4368PBF

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85 mOhm @ 195A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 195A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 570nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 19230pF @ 50V
Power - Max 520W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC856A (ON SEMICONDUCTOR) 800 11.02 руб. 
BCX42 (INFINEON) 8 18.36 руб. 
L7812ABD2T-TR (ST MICROELECTRONICS) 3 72.21 руб. 
TL494CN (MOTOROLA) 80 61.20 руб. 
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS) 80 61.20 руб. 
IRFP4368PbF
MOSFET

HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4368PbF.pdf
277.7 Кб