Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF530NPBF

Версия для печати Полевой транзистор

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF530NPBF 1052 49.26 руб. 

Технические характеристики IRF530NPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 920pF @ 25V
Power - Max 70W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC546B (ON SEMICONDUCTOR) 800 11.63 руб. 
IRF9540NPBF 1920 50.18 руб.