Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF5210PBF

Версия для печати Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF5210PBF 536 112.46 руб. 

Технические характеристики IRF5210PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 40A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2700pF @ 25V
Power - Max 200W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
PIC16F684-I/P (MICRO CHIP) 17 346.28 руб. 
КР140УД608 (МИКРО-М) 1120 141.70 руб.