IRF510SPBF

Hexfet® power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
IRF510SPBF 12 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF510SPBF

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 25V
Power - Max 3.7W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru