Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK3075

Версия для печати Транзистор полевой MOSFET , P=20W, 30В, 5А

Описание 2SK3075

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20
Корпус 2-5N1A
Пороговое напряжение на затворе 2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
24LC16B-I/SN (MICRO CHIP) 80 94.86 руб. 
TOP224YN (POWER INTEGRATION) 400 348.84 руб. 
2SK3075

N Channel Mos Type (rf Power Mosfet For Vhf- and Uhf-band Power Amplifier)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk3075.pdf
118.23Kb
3стр.