2SK170

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)

Описание 2SK170

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.4
Пороговое напряжение на затворе -1.5
Крутизна характеристики S,мА/В 22
Корпус TO92

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
2N3906 (DIOTEC)	3102	5.40 руб.
2SK117	1

2SK170
Обработка сигналов

FET, Silicon N Channel Junction Type (for Low Noise Audio Amplifier)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk170.pdf
219.24Kb
4стр.