Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Pc max 40W Ucb max 500V Uce max 400V Ueb max 7V Ic max 7A Tj max, °C 150°C Hfe20/80
Москваº ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º(495) 150-88-73 Воронежº Московский пр-т, д.97 º(473) 239-22-32 www.elekont.ru