Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 40W
Ucb max 500V
Uce max 400V
Ueb max 7V
Ic max 7A
Tj max, °C 150°C
Hfe 20/80
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2SC2334 (NEC) | 26 | 116.28 руб. | |
2SC3039 (КИТАЙ) | 5 | 100.98 руб. | |
2SC3056 (FUJITSU) | 8 | 354.96 руб. | |
2SC4242 (INCHANGE) | 776 | 129.89 руб. | |
BU406 | 80 | 35.78 руб. | |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
16K1 F 100K | 2720 | 16.19 руб. | |
16K1 F 10K | 12040 | 16.64 руб. | |
TL494CN (MOTOROLA) | 80 | 61.20 руб. | |
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS) | 80 | 61.20 руб. | |
КТ827А (БРЯНСК) | 78 | 1 740.00 руб. | |
Транзистор S-N 500В 7A TO220
|
||