Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

NE555DT

Версия для печати Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; Icc: 6 мА; NMOS

Описание NE555DT

Вся оригинальность заключается в способе управления триггером, а именно формировании управляющих сигналов. Управляющие сигналы формируются на компараторах DA1 и DA2, на один из входов которых подана опорное напряжение. Чтобы сформировать управляющие сигналы необходимо получить на входах триггера (выходах компараторов) сигналы высокого уровня. 
Для запуска таймера необходимо подать на вход Uзап (выв. 2) напряжение в пределах 0…1/3Uпит. Этот сигнал вызовет срабатывание триггера и на выходе сформируется сигнал высокого напряжения. Сигнал больше чем 1/3Uпит не вызовет каких-либо изменений в состоянии микросхемы, т.к. опорное напряжения для компаратора DA2 составляет 1/3 Uпит. 
Останов таймера происходит при сбросе триггера. Для этого напряжение на входе Uпор (выв. 6) должно превысить 2/3Uпит (опорное напряжение для компаратора DA1 составляет 2/3Uпит). При сбросе на выходе микросхемы устанавливается сигнал низкого уровня и разряд времязадающего конденсатора. 
Таймер интегральный - [SOIC-8-3.9];
Выходов: 1;
F макс: 500 кГц;
Технология: Bipolar;
Ucc: 4.5...18 В;
Icc: 6 мА;
Траб: 0...70 °C
Аналог КР1006ВИ1  

Технические характеристики NE555DT

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип 555 Type, Timer/Oscillator (Single)
Частота 500kHz
Напряжение питания 4.5 V ~ 16 V
Ток выходной 10mA
Рабочая температура 0°C ~ 70°C
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
Тип монтажа Поверхностный
Frequency 500kHz
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
3296W 20K 3840 16.06 руб. 
NE555N (ST MICROELECTRONICS) 400 52.02 руб. 
К561ЛА7 (РОДОН) 414 24.00 руб. 


Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; Icc: 6 мА; NMOS

ne555dt.pdf
659,58kB
11стр.