AD817

Описание AD817

Число ОУ в одном корпусе: 1
Архитектура: биполярные транзисторы на входе
Возможность работы от одного источника питания: есть
Минимальное напряжение питания, В: 5
Максимальное напряжение питания, В: 36
Ток питания в пересчете на усилитель, мА: 7
Входное напряжение смещения, мВ: 0.5
Входной ток при 25^оС, мкА: 3.3
Входной ток смещения, мкА: 0.025
Температурный дрейф нуля, мкВ/^оС: 10
Коэффициент усиления с разомкнутой ОС, дБ: 75
Входное сопротивление, МОм: 0.3
Входная емкость, пФ: 1.5
Коэффициент ослабления синфазной составляющей (КОСС), дБ: 120
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 50
Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс: 350
Полное гармоническое искажение, дБ: -63

AD817AN  –40°C to +85°C   8-Pin Plastic DIP 
AD817AR  –40°C to +85°C   8-Pin Plastic SOIC