Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STGE200NB60S

Версия для печати N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermesh™

Технические характеристики STGE200NB60S

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerMESH™
Конфигурация Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 100A
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.56nF @ 25V
Power - Max 600W
Вход Standard
NTC Thermistor Нет
Тип монтажа Шасси
Корпус (размер) ISOTOP
Корпус ISOTOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
STGE200NB60S
IGBT

N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™

Производитель:
STMicroelectronics

STGE200NB60S.pdf
276.7 Кб