Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IXFN60N80P

Версия для печати Polarhv hiperfet power mosfet

Технические характеристики IXFN60N80P

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 53A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 18000pF @ 25V
Power - Max 1040W
Тип монтажа Шасси
Корпус (размер) SOT-227-4, miniBLOC
Корпус SOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IXFN60N80P
MOSFET

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN60N80P.pdf
145.7 Кб