Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP4468PBF

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V,520W,540nC @ 10V

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP4468PBF 420 387.70 руб. 

Технические характеристики IRFP4468PBF

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 195A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 540nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 19860pF @ 50V
Power - Max 520W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N3055 248 120.70 руб. 
ADM2483BRWZ (ANALOG DEVICES) 200 1 298.88 руб. 
IRF4905PBF (INFINEON) 8996 256.72 руб. 
IRFP4468PbF
MOSFET

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4468PBF.pdf
296.7 Кб