Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики S,мА/В 10000
Корпус TO220
Пороговое напряжение на затворе 4
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Серия | MESH OVERLAY™ |
|
IRF640 Мощные полевые МОП транзисторы N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220 / TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET Также в этом файле: IRF640FP, IRF640F
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
