Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные, в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом), используются для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц, .
Технические характеристики
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Uoбpи max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 250 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 200 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
 |
 |
 |
 |
 |
 |