ILD217T
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс CTR >100% SO8Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| ILD217T | 1360 | 71.94 |
Технические характеристики ILD217T
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Количество каналов | 2 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru