Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

4N35M

Версия для печати Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%

Технические характеристики 4N35M

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Количество каналов 1
Current Transfer Ratio (Min) 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max) 300mV
Корпус (размер) 6-DIP
Тип монтажа Выводной
Тип выхода Transistor with Base
Current - DC Forward (If) 60mA
Напряжение выходное 30V
Voltage - Isolation 7500Vpk
Тип входа DC
Output Type Transistor with Base
Ток выходной / канал 100mA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
К561ЛЕ10 (МИНСК) 13498 12.00 руб. 
КД202Р 299 102.90 руб. 
КД226Д 1040 19.74 руб. 
КД247А (СЗТП) 800 18.36 руб. 
КТ3102БМ (БРЯНСК) 4283 13.68 руб. 
4N35M
Оптроны фототранзисторные

Фототранзисторный оптрон общего назначения

Производитель:
Fairchild Semiconductor

4N2x_4N3x_H11AxM.pdf
135.2 Кб