Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK3569

Версия для печати N-MOS 600V, 10A, 45W

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK3569 12 73.92 руб. 

Технические характеристики 2SK3569

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 45W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220 (SIS)
Корпус TO-220SIS
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
L7812CV (ST MICROELECTRONICS) 1280 67.52 руб. 
2SK3569

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk3569.pdf
153.17Kb
6стр.