Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SD882 | 8224 | 10.00 руб. | |
Биполярный высокочастотный транзистор
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Мощность максимальная 10Вт
Напрячжение сток исток 30В
Напряжение исток база 5В
Ток коллектора максимальный 3A
Температура перехода до 150°C
Граничная частота 90МГц
Коэффициент передачи Hfe 60/120
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 12.5W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-126-3 |
| Корпус | SOT-32-3 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SB772 | 2000 | 10.34 руб. | |
|
2SD882 PNP / NPN Epitaxial Planar Transistors
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
