Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 5V, 14A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Power - Max | 125W |
| Тип входа | Logic |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| DB-9F | 38000 | 7.80 руб. | |
| STGB10NB37LZ | 4 |
|
|
| W27C512-45Z (WINBOND) | 344 | 767.52 руб. | |
|
IRGB14C40L IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Также в этом файле: IRGS14C40L, IRGS14C40LTRR, IRGS14C40LTRL
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
