Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRGB5B120KD

Версия для печати

Технические характеристики IRGB5B120KD

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 6A
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Power - Max 89W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRGB5B120KD

Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irgb5b120kd.pdf
226.2Kb
12стр.