IRG4PSC71UD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, Vce(on)=1.67V(typ), P=350W@t=25C, P=140W@t=100C, -55 to +150C)

Описание IRG4PSC71UD

Структура N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Управляющее напряжение,В 6.0
Мощность макс.,Вт 350
Максимальная частота переключения, кГц 40
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус Super247

Технические характеристики IRG4PSC71UD

Параметр	Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 60A
Current - Collector (Ic) (Max)	85A
Power - Max	350W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
FGH60N60SMD (ONS)	46	802.94 руб.
С5-5 - 10 ВТ 20 ОМ 5%	72	172.80 руб.

IRG4PSC71UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4psc71ud.pdf
255.83Kb
10стр.