Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PH50S

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PH50S

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A
Current - Collector (Ic) (Max) 57A
Power - Max 200W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AD)
Корпус TO-247AD
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4PH50S
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph50s.pdf
130.77Kb
8стр.