Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PH50K

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PH50K

Параметр
Значение
Power - Max 200W
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4PH50KD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph50kd.pdf
224.28Kb
10стр.