Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PH40KD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 30А, 160Вт

Описание IRG4PH40KD

Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение сток-исток  1200В
Ток стока  30А
Мощность  160Вт
Время включения/выключения   50нс/96нс
Частота   8 ... 30кГц
Диапазон температур  - 55 ... 150оС

Технические характеристики IRG4PH40KD

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Power - Max 160W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4PH40KD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph40kd.pdf
217.64Kb
10стр.