Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PH30KD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PH30KD

Параметр
Значение
Power - Max 100W
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF840 2361 31.91 руб. 
IRG4PH30KD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph30kd.pdf
212.67Kb
10стр.