Напряжение К-Э максимальное 900 В
Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 28 А
Напряжение насыщения К-Э 2.25 В
Время нарастания 50 нс
Время спада 110 нс
Время восстановления диода 135 нс
Прямое падение напряжение диода 2.5 В
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Параметр |
Значение |
---|---|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 51A |
Power - Max | 200W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PF50WD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
|
||