Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PF50WD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)

Описание IRG4PF50WD

Напряжение К-Э максимальное 900 В
Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 28 А
Напряжение насыщения К-Э 2.25 В
Время нарастания 50 нс
Время спада 110 нс
Время восстановления диода 135 нс
Прямое падение напряжение диода 2.5 В
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz

Технические характеристики IRG4PF50WD

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A
Current - Collector (Ic) (Max) 51A
Power - Max 200W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4PF50WD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4pf50wd.pdf
254.95Kb
10стр.