Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PC50F

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PC50F

Параметр
Значение
Power - Max 200W
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AD)
Корпус TO-247AD
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SA1492 640 92.68 руб. 
IRG4PC50FD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4pc50fd.pdf
214.08Kb
10стр.