IRG4PC40UD

Версия для печати Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)

Технические характеристики IRG4PC40UD

Параметр	Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
Power - Max	160W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
2SA1492	640	92.68 руб.
MBR20200CT	8064	25.86 руб.

IRG4PC40UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4pc40ud.pdf
247.33Kb
10стр.