Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PC30KD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4PC30KD

Параметр
Значение
Power - Max 100W
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4PC30KD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4pc30kd.pdf
181.26Kb
10стр.