Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4IBC30UD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4IBC30UD

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
Power - Max 45W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220AB Full-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MPSA42 5360 2.24 руб. 
IRG4IBC30UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ibc30ud.pdf
229.21Kb
10стр.