Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC30U

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC30U

Параметр
Значение
Power - Max 100W
Current - Collector (Ic) (Max) 23A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ULN2003A 11360 8.18 руб. 
IRG4BC30U-SPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc30uspbf.pdf
400.14Kb
9стр.