Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC30KD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC30KD

Параметр
Значение
Power - Max 100W
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
PC817 4 23.23 руб. 
PMBT2907A 2200 6.34 руб. 
К294КН4ВР 5244 59.14 руб. 
КТ8115А 72 178.50 руб. 
IRG4BC30KD-S
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc30kds.pdf
225.95Kb
10стр.