Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC30K

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC30K

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Power - Max 100W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4BC30KD-S
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc30kds.pdf
225.95Kb
10стр.