Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC30FD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC30FD

Параметр
Значение
Power - Max 100W
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
78L05ACD13TR (L78L05ACD13TR) (ST MICROELECTRONICS) 5740 9.60 руб. 
IR2101S (INTERNATIONAL RECTIFIER) 26 306.00 руб. 
LM2903D (ON SEMICONDUCTOR) 400 45.90 руб. 
RC0805JR-075R1L (YAGEO) 680 1.44 руб. 
IRG4BC30FD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc30fd.pdf
414.31Kb
10стр.