Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC20KD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC20KD

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Power - Max 60W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
US1M (HOTTECH) 152000 1.18 руб. 
IRG4BC20KD-S
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc20kds.pdf
223.59Kb
10стр.