Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4BC15UD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Технические характеристики IRG4BC15UD

Параметр
Значение
Power - Max 49W
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 7.8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRG4BC15UD-L
Low VCE(sat) Bipolar Transistors

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Также в этом файле: IRG4BC15UD-S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4bc15udl.pdf
211.85Kb
12стр.