HGTG20N60A4

Версия для печати Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Описание HGTG20N60A4

Структура N-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Управляющее напряжение,В 5.5Мощность макс.,Вт 290
Температурный диапазон,С -55…15
Корпус TO247

Технические характеристики HGTG20N60A4

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
Power - Max	290W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
КС213Б	98	23.10 руб.

HGTG20N60A4D

600V, SMPS series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

hgtg20n60a4d.pdf
353.72Kb
9стр.